이온빔 리소그라피를위한 channeling mask 제작 및 특성평가


김영석, 홍완, 이진호, 우형주, 최한우, 김기동 (한국지질자원연구원, 입자빔 응용팀)
대전시 유성구 가정동 30

이온빔 리소그라피 (Ion Beam Lithography) 를 위한 channeling mask 제작공정과 마스크의 특성평가 및 리소그라피 적용결과를 보고한다. Channeling mask 는 이온빔의 channeling 현상을 이용하여 이온빔이 마스크를 통과할 때 야기되는 각도 분산과 이로인한 공간 분해능의 저하를 현저히 줄일 수 있는 장점이 있다. 잘 정렬된 [100] Si wafer에 붕소를 열확산 시켜 P+ 층을 형성시킨 후 400nm PMMA를 spin coating 한 후 e-beam writing 에 의하여 pattern 을 형성하였다. PMMA를 현상한 다음 전기도금에 의하여 Au pattern을 형성하였으며 EDP 용액에 의하여 wafer 뒷면을 식각하여 membrane mask 를 완성하였다. Mask에서의 각도분산 측정결과 각도분산이 입사이온의 에너지 변화 및 mask 두께변화에 둔감하게 0.4도임을 확인하였다. 이는 100nm 정도의 mask pattern 이 이온빔 리소그라피에 의하여 실질적으로 재현될 수 있음을 의미한다. 실제 이온빔 리소그라피에 의한 pattern transfer 결과를 보고한다.

2002 한국물리학회 춘계학술대회 (2002.4, BEXCO, 부산)


앞페이지로