중이온빔에 의한 이차전자 발생에 관한 연구


김기동,김준곤,최한우,홍완,김영석,우형주(한국자원연구소), 이대원(부산대)

중이온빔을 이용하여, 표적물질의 성분을 분석할 경우나 중이온 핵반응 산란 단면적을 측정할 경우에 적산전류계를 이용하여 빔량을 측정하면 이차전자의 발생때문에 실제 입사된 빔량보다 과다하게 빔량이 측정된다. 따라서 빔량의 정확도는 faraday cup에서 얼마나 효과적으로 이차전자를 억제하느냐에 달려 있다. 본 연구에 있어서는 이러한 faraday cup의 설계에 앞서 이온빔에 의해 발생하는 이차전자가 빔전류량, 빔량, 진공상태등에 따라 어떤 변화를 나타내는지를 관찰하고자 한다. 본 연구에 이용된 가속기는 1.7MV Tandem Van de Graaff 가속기이고, 빔은 Cl을 사용하였으며, 표적으로는 Pt/Si을 이용하였다. 또한 중이온RBS 로 부터 얻어진 Pt 피크의 면적을 빔량의 표준으로 선택하였다.

한국물리학회 1998년도 춘계학술대회, 4. 24 ~ 25, 고려대학교, 서울


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